Western Digital разрабатывает флэш-память с низкой задержкой, чтобы конкурировать с Intel Optane. Трудно сказать что память Intel Optane массово расходится в запросах аудитории, однако все разработки по новым быстрым вариантам дисковых подсистем являются приоритетными.
Western Digital работает над собственной флэш-памятью с малой задержкой, которая будет предлагать более высокую производительность и выносливость по сравнению с обычными 3D NAND, в конечном итоге разработанными для конкуренции с хранилищем Optane .
На этой неделе, Western Digital рассказали о своей новой флэш-памяти с низкой задержкой NAND. Технология предназначена для размещения где-то между 3D NAND и DRAM, подобно хранилищу Intel Optane и Samsung Z-NAND. Подобно этим технологиям, согласно Western Digital, ее LLF-память будет иметь время доступа «в микросекундном диапазоне», используя архитектуру 1 бит на ячейку и 2 бит на ячейку.
Производитель признает, что его LLF — это индивидуальное устройство, которое очень быстрое, потому что оно настроено на производительность. Память будет стоить в 10 раз меньше, чем DRAM, но в 20 раз дороже, чем 3D NAND (по крайней мере, исходя из сегодняшних оценок) с точки зрения цены за ГБ, поэтому она, вероятно, будет использоваться только некоторыми приложениями, предназначенными для центров обработки данных или high-end рабочие станции, аналогичные тем, где сегодня находятся Optane и Z-NAND.
Western Digital не раскрывает всех подробностей, касающихся флэш-памяти с малой задержкой, и невозможно сказать, имеет ли она какое-либо отношение к XL-Flash 3D NAND Toshiba с низкой задержкой, представленному в прошлом году, а также к другим специализированным типам флэш-памяти. Вполне естественно, что компания также неохотно говорит о реальных продуктах, основанных на памяти LLF, или о том, когда они станут доступны. Между тем, LLF от Western Digital принадлежит к поколению памяти 3D NAND BICS4 и поэтому может производиться даже сегодня.
В то время как флэш-память Western Digital с малой задержкой будет конкурировать с твердотельными накопителями Intel Optane и Samsung Z-NAND, компания не называет LLF памятью класса хранения (SCM).
В более долгосрочной перспективе Western Digital работает над SCM на основе ReRAM и над SCM на основе мемристоров с HP. Принимая во внимание, что циклы исследований и разработок занимают много лет, похоже, что компания будет заниматься приложениями, которые требуют емкости и производительности, с более знакомой флэш-памятью NAND, прежде чем внедрять технологии следующего поколения.
